————————深圳长欣自动化设备有限公司—————————
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品牌众多：举例以下四大系统备件。

PLC可编程控制系统备件：

Allen-bradley：1756 1771 1785

摩尔: 1FT 1FK

莫迪康：140CPU AS

GE：IC697 IC698

Motorola：MVME162 MVME137 MVME147

Xycom：XVME

DCS控制系统备件：

DCS集散控制系统：

GE：DS200,IS200，IS215，IS420等燃机卡系列

Invensys Foxoboro：FBM01 FBM02 FBM09 FBM10 FBM201 FBM209

Invensys Triconex: 3503E 3664 3721 3625 4351D 3700A

ABB bailey：BRC300 BRC400 BRC410 AC800 IMASI23

Westinghouse Ovation：IC31

伺服控制系统备件：

Kollmorgen: SM71K 6SM27 AKV23F 60WKS 65WKS

​摩尔: 6DD1606 6SN1118 6FC5203 6RB2000 6SC6508 6FX2007 6FM2805 6AV6542

Bosh Rexroth: HCS02.1E HMS01.1N HLB01.1C MSK060B　MKE118B MSM020B MHD071B

SEW: MDX61B0022 MDS60A0040 MDF60A0015 MDV60A0015 MCH42A0220 MCV40A0075

机器人控制系统备件：

KUKA: KRC1 KRC2 KRC4 KPS600 KCP2

ABB: 3HAB 3HAA 3HAC DSQC345

FANUC: A02B A03B A04B A05B A06B

Yaskawa: CACR JUSP JZNC JANCD HW

IGCT集成门极换流晶闸管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一种中压变频器开发的用于巨型电力电子成套设备中的新式电力半导体开关器材(集成门极换流晶闸管=门极换流晶闸管+门极单元)。1997年由ABB公司提出。IGCT使变流设备在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、分量和体积等方面都取得了巨大发展，给电力电子成套设备带来了新的飞跃。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方法衔接，结合了晶体管的安稳关断才能和晶闸管低通态损耗的长处，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT 具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特色，而且造成本低，成品率高，有很好的应用远景。己用于电力系统电网设备（100MVA）和的中功率工业驱动设备（5MW)IGCT在中压变频器领域内成功的应用了11年的时间（到09年停止)，由于IGCT的高速开关才能无需缓冲电路，因而所需的功率元件数目更少，运行的可靠性大大增高。IGCT集 IGBT（绝缘门极双极性晶体管）的高速开关特性和GTO（门极关断品闸管）的高阻断电压和低导通损耗特性于一体，一般触发信号通过光纤传输到IGCT单元。在ACS6000的有缘整流单元的相模块里，每相模块由IGCT 和二极管、钳位电容组成，由独立的门极供电单元GUSP为其提供动力。电力电子器材（Power Electronic Device），又称为功率半导体器材，用于电能变换和电能操控电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器材。能够分为半控型器材、全控型器材和不可控型器材，其间晶闸管为半控型器材，接受电压和电流容量在所有器材中高；电力二极管为不可控器材，结构和原理简略，工作可靠；还能够分为电压驱动型器材和电流驱动型器材，其间GTO、GTR为电流驱动型器材，IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器材。MCT （MOS Control led Thyristor）：MOS操控晶闸管MCT 是一种新式MOS 与双极复合型器材。如上图所示。MCT是将 MOSFET 的高阻抗、低驱动图 MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电流特型结合在一起，形成大功率、高压、快速全控型器材。实质上MCT 是一个MOS 门极操控的晶闸管。它可在门极上加一窄脉冲使其导通或关断，它由无数单胞并联而成。它与GTR，MOSFET，IGBT，GTO等器材比较，
有如下长处：
电压高、电流容量大，阻断电压已达3000V，峰值电流达1000A，大可关断电流密度为6000kA/m2；

通态压降小、损耗小，通态压降约为11V；

极高的dv/dt和di/dt耐量，dv/dt已达2kV/s ，di/dt为2kA/s；

开关速度快， 开关损耗小，开通时间约200ns，1000V 器材可在2s 内关断；

 IGCT（Intergrated Gate Commutated Thyristors）IGCT是在晶闸管技术的基础上结合IGBT和GTO等技术开发的新式器材，适用于高压大容量变频系统中，是一种用于巨型电力电子成套设备中的新式电力半导体器材。

IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方法衔接，结合了晶体管的安稳关断才能和晶闸管低通态损耗的长处。在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT芯片在不串不并的情况下，二电平逆变器功率0.5~3MW，三电平逆变器1~6MW；若反向二极管分离，不与IGCT集成在一起，二电平逆变器功率可扩至4/5MW，三电平扩至9MW。

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