————————深圳长欣自动化设备有限公司—————————
宣传图片并非实物图，只供参考~

发布的产品都有，欢迎咨询。

Released products are available, welcome to consult.

库存型号多，包邮包邮！！







































 

品牌众多：举例以下四大系统备件。

PLC可编程控制系统备件：

Allen-bradley：1756 1771 1785

摩尔: 1FT 1FK

莫迪康：140CPU AS

GE：IC697 IC698

Motorola：MVME162 MVME137 MVME147

Xycom：XVME

DCS控制系统备件：

DCS集散控制系统：

GE：DS200,IS200，IS215，IS420等燃机卡系列

Invensys Foxoboro：FBM01 FBM02 FBM09 FBM10 FBM201 FBM209

Invensys Triconex: 3503E 3664 3721 3625 4351D 3700A

ABB bailey：BRC300 BRC400 BRC410 AC800 IMASI23

Westinghouse Ovation：IC31

伺服控制系统备件：

Kollmorgen: SM71K 6SM27 AKV23F 60WKS 65WKS

​摩尔: 6DD1606 6SN1118 6FC5203 6RB2000 6SC6508 6FX2007 6FM2805 6AV6542

Bosh Rexroth: HCS02.1E HMS01.1N HLB01.1C MSK060B　MKE118B MSM020B MHD071B

SEW: MDX61B0022 MDS60A0040 MDF60A0015 MDV60A0015 MCH42A0220 MCV40A0075

机器人控制系统备件：

KUKA: KRC1 KRC2 KRC4 KPS600 KCP2

ABB: 3HAB 3HAA 3HAC DSQC345

FANUC: A02B A03B A04B A05B A06B

Yaskawa: CACR JUSP JZNC JANCD HW

MCT （MOS Control led Thyristor）：MOS控制晶闸管MCT 是一种新型MOS 与双极复合型器件。如上图所示。MCT是将 MOSFET 的高阻抗、低驱动图 MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电流特型结合在一起，形成大功率、高压、快速全控型器件。实质上MCT 是一个MOS 门极控制的晶闸管。它可在门极上加一窄脉冲使其导通或关断，它由无数单胞并联而成。它与GTR，MOSFET，IGBT，GTO等器件相比，有如下优点：
电压高、电流容量大，阻断电压已达3000V，峰值电流达1000A，可关断电流密度为6000kA/m2；

通态压降小、损耗小，通态压降约为11V；

极高的dv/dt和di/dt耐量，dv/dt已达2kV/s ，di/dt为2kA/s；

开关速度快， 开关损耗小，开通时间约200ns，1000V 器件可在2s 内关断；

2IGCT（Intergrated Gate Commutated Thyristors）IGCT是在晶闸管技术的基础上结合IGBT和GTO等技术开发的新型器件，适用于高压大容量变频系统中，是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点。在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT芯片在不串不并的情况下，二电平逆变器功率0.5~3MW，三电平逆变器1~6MW；若反向二极管分离，不与IGCT集成在一起，二电平逆变器功率可扩至4/5MW，三电平扩至9MW。目前，IGCT已经商品化， ABB公司制造的IGCT产品的性能参数为4［1］5kV/4kA ，研制水平为6 kV/ 4 kA。1998 年，日本三菱公司也开发了直径为88mm的GCT的晶闸管IGCT损耗低、开关快速等优点保证了它能可靠、高效率地用于300kW~ 10MW变流器，而不需要串联和并联。IEGT（ Injection Enhanced Gate Transistor） 电子注入增强栅晶体管IEGT是耐压达4kV以上的IGBT系列电力电子器件，通过采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。IEGT 具有作为MOS 系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点，以及采用沟槽结构和多芯片并联而自均流的特性，使其在进一步扩大电流容量方面颇具潜力。另外，通过模块封装方式还可提供众多派生产品，在大、中容量变换器应用中被寄予厚望。日本东芝开发的 IECT 利用了电子注入增强效应，使之兼有IGBT和GTO 两者的优点

冷门，偏门，停产，紧急

缺货，工业自动化，电子配件

集成电路为主的电子元器件

您找不到的型号物料，请联系我们

------原 装 进 口，全 新 推 荐--------

-------库 存 充 足， 价 格 优 惠 ------

欢迎来电咨询！

15359298293（微信同号）联系人：蓝经理

CDB01.1C-ET-EN1-EN2-NN-L2-S-FW

CDB01.1C-ET-EN2-EN2-NNN-L2-S-FW

CDB01.1C-ET-EN2-MEM-L2-S-FW

CDB01.1C-ET-ENS-ENS-NNN-S2-S-FW

CDB01.1C-ET-NNN-NNN-NNN-L2-S-FW

CDB01.1C-PB-ENS-EN1-EN2-S2-S-FW

CDB01.1C-PB-ENS-ENS-NN-SFW

CDB01.1C-PB-ENS-ENS-NNN-S1-S-FW

CDB01.1C-PB-ENS-ENS-NNN-S2-S-FW

CDB01.1C-S3-ENS-ENS-NNN-NN-S-FW

CDB01.1C-SE-EN1-EN1-EN2-S1-S-FW

CDB01.1C-SE-EN1-EN1-NNN-S1-S-FW

CDB01.1C-SE-EN1-EN1-S1-S-FW

CDB01.1C-SE-EN1-EN2-EN2-S1-S-FW

CDB01.1C-SE- EN2-EN2-NNN-S1-S-FW

CDB01.1C-SE-ENS-EN2-NN-S-FW

CDB01.1C-SE- ENS-EN2-NNN-NN-S-FW

CDB01.1C-SE-ENS-ENS-EN2-S1-S-FW

CDB01.1C-SE- ENS-ENS-NNN-L1-S-FW

CDB01.1C-SE-ENS-ENS-NNN-NIN-S-FW

CDB01.1C-SE- ENS-ENS-NNN-S1-S-FW

CDB01.1C-SE-ENS-ENS-NNN-S2-S-FW

CDB02.1B-ET-EC-EC-NN-S4-NN-FW

CDB02.1B-ET-EC-EC-S4-S4-EC-FW

DDS02.1-A050-D

DDS02.1-A050-DA01-01

DDS02.1-A050-DA02-01

DDS02.1-A100-D

DDS02.1-A100-DA02-01

DDS02.1-A100-DS01-02

DDS02.1-A100-DS03-02-FW

DDS02.1-A100-DS24-04

DDS02.1-A100-DS63-01

DDS02.1-A1 50-D

DDS02.1-A150-DA02-01

DDS02.1-A1 50-DA07-02

DDS02.1-A150-DL01-01-FW

DDS02.1-A150-DS01-02-FW

DDS02.1-A150-DS48-00-FW

DDS02.1-A1 50-DS50-01-FW .

DDS02.1-A200-D

DDS02.1-A200-DA02-01-FW

DDS02.1-A200-DL01-01-FW

DDS02.1-A200-DS01-02-FW .

DDS02.1-A200-DS68-00-FW

DDS02.1-F100-D

DDS02.1-F150-D

DDS02.1-F1 50-DA01-00